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低温扫描纳米磁成像仪 | 兼顾高空间分辨率、高灵敏度、宽温区的低温扫描纳米磁成像仪。其技术指标要求如下: (1)空间分辨率10 nm (2)灵敏度5 μT /Hz1/2 (3)最低温度4 K (4)扫描范围10*10 μm2(4 K)。 | | |
通风橱 | 通风橱(一般酸)5台,通风橱(甩胶)5台,通风橱(显影)5台,通风橱(清洗)5台。数量: 20套;质保期: 1年以上;售后维保:国内必须设有维护点;接到报修后24小时维修响应。 | | |
有源集成硅光子晶圆 | 采购6片有源硅光晶圆,满足高调制速率(大于30 GHz)、波导器件低传输损耗(小于1 dB/cm)、高探测速率(大于45GHz),提供完善的版图设计规则和检查机制,样品加工工期为半年。 | | |
车载光学望远镜系统 | 需1套;望远镜口径≥1.2m,780nm、850nm 、500nm~750nm、1550nm、532nm效率≥60%,偏振对比度≥400:1;轴上波像差优于1/10λ@633nm。具备耐氏焦点和库德焦点;质保期不低于5年,交货期不超过2年。 | | |
可移动车载量子链路节点望远镜系统 | 需1套;望远镜口径≥1.2m,780nm、850nm 、500nm~750nm、1550nm、532nm效率≥60%,偏振对比度≥400:1;轴上波像差优于1/10λ@633nm。具备耐氏焦点和库德焦点;质保期不低于5年,交货期不超过2年。 | | |
强磁场低温测量系统 | 1套强磁场低温测量系统,可实现约10mK的极低温和最高12-14T的外加磁场的测量环境。用于对低维量子器件的极低温量子输运研究。出厂前需调试好,可正常工作;需完成安装调试和人员培训,和提供后期维护支持,18个月交货期。 | | |
X射线衍射仪 | 主要功能:单晶薄膜样品晶格常数和结晶质量的精确测量;数量:1台;质量要求:系统各项功能稳定工作至少6个月;质保:3年。 | | |
激光器 | 数量:1台; - 输出波长:1064/532nm - 激光器线宽:0.005cm -1 @1064nm - 脉冲宽度:6-9 ns - 重复频率:75 hz - 倍频后同时输出能量:635mJ@532nm/320mJ@1064nm;自签订合同之日起3个月内供货,提供符合要求调试服务。 | | |
半导体器件电-热应力寿命分析系统 | 需求1套:1.电压范围0至 1000V,电压精度0.1 V; 2. 应力时间1000 h,时间精度1 min;3.温度变化范围室温至500℃,温度抖动低于0.5℃。质保期1年。 | | |
原子层沉积系统 | 该设备用于氧化铪的高均匀性生长,需满足以下条件:1、内外双腔结构,内腔可拆卸;2、配备loadlock腔;3、支持最大基片尺寸6英寸及以上。 | | |
掩模版对准光刻机 | 掩模版对准光刻机1套。特征尺寸优于0.5微米;真空接触曝光,能得到<0.8 µm的高分辨率;硬接触曝光模式下,可得到1微米内的分辨率。 | | |
电子束曝光系统 | 电子束曝光系统1套。电子束能量20eV-30keV 可调 , 写 场 大 小0.5um-2mm 可调,样品台可承载 8 英寸以上的基片,可曝光最小特征尺寸小于 8nm,写场拼接精度和套刻精度优于 35nm,具备长线条无拼接曝光模式。 | | |
稀释制冷机 | 稀释制冷机1台,脉管机制冷,设备最低温不超过10mK,100mK制冷功率不低于400uW, 6T-1T-1T矢量超导磁体。 | | |
GPU服务器 | 具备双路高性能处理器、大容量高速内存、多种硬盘配置(包括高速SSD和大容量HDD)、高性能RAID卡、双网卡(含高速网卡)、强大GPU算力及显存、多个PCIe扩展插槽、冗余电源、支持远程电源管理等功能,以满足多样化业务需求。 | | |
光学频率梳系统 | 光学频率梳系统 提供光频梳 数量: 1套 质保期: 1年以上 售后维保:国内必须设有维护点;24小时维修响应。 | | |
飞秒激光加工系统 | 飞秒激光加工系统 通过飞秒激光直接在材料上制备图形 数量: 1套 质保期: 1年以上 售后维保:国内必须设有维护点;24小时维修响应。 | | |
化学机械磨抛机(介质) | 化学机械磨抛机((介质) 执行氮化硅及氧化硅的化学机械磨抛工艺 数量: 1套 质保期: 1年以上 售后维保:国内必须设有维护点;24小时维修响应。 | | |
自动涂胶显影机 | 自动涂胶显影机 执行6、8寸晶圆的自动涂胶显影工艺 数量: 1套 质保期: 1年以上 售后维保:国内必须设有维护点;24小时维修响应。 | | |
电子束曝光(EBL) | 电子束曝光(EBL) 执行纳米级图形制备 数量: 1套 质保期: 1年以上 售后维保:国内必须设有维护点;24小时维修响应。 | | |
光纤激光器 | 3套:中心波长300-1100nm定制,输出功率:>15W @813nm,>4W(空间光)@420nm,>1W@317nm;,线宽(100μs 积分):<30kHz;相对强度噪声(RIN):<0.2% (10Hz-10MHz积分);质保期不低于3年,交货期不超过2个月,提供送货安装调试。 | | |
原子层沉积系统 | 该设备用于三氧化二铝的高均匀性生长,需满足以下条件:1、内外双腔结构,内腔可拆卸;2、配备loadlock腔;3、支持最大基片尺寸6英寸及以上。 | | |
国产同位素气态前驱体 | 拟采购800g同位素纯化气态前驱体,采用5L容量的钢瓶进行运输,其中纯化同位素含量大于99.9%,通过特气公司对气瓶进行保压等安全检测,拟采用空运或者海运,整个采购周期约一年。 | | |
超稳激光电控箱正样件定制 | 初样电性件一套,满足卫星任务书要求,工业级,交货时间4个月。 | | |
光钟实验舱高压正样件定制 | 正样件一套,满足卫星任务书要求,宇航级,交货时间4个月。 | | |
光钟伺服箱正样件定制 | 正样件一套,满足卫星任务书要求,宇航级,交货时间4个月。 | | |
氦三连续流制冷机 | 基础温度最低400 mK,制冷功率500 mK下大于3mW,样品腔室直径>96 mm,采用大于1个4K脉管制冷机提供初级冷量,连续流的He3循环系统提供2级冷量。 | | |
红外连续激光器 | 购置1套,单价259.87万,预算259.87万;技术参数:1064nm波段,粗调范围:1.45 - 4.0um,输出功率:信号>2W,闲频>1W,线宽<2MHz,闲频无模式跳变调谐范围>30GHz(与波长相关,最高达300GHz),输出光束质量:M²<1.2,含控制模块与放大模块。 | | |
超稳光光源模块 | 购置1套,单价118.18万,预算118.18万;技术参数:频率偏移范围为10 MHz至1200 MHz,最大到1400 MHz。 DDS合成器可参考到外部10/100 MHz参考信号。 | | |
自由运行SPAD探测器组 | 购置4个,单价50万,预算200万;技术参数:自由运行InGaAs/InP 单光子探测器阵列,效率>20%,单通道暗计数<10k counts/s。 | | |
强脉冲激光系统 | 购置1台,单价280万,预算280万;技术参数:波长1064nm;功率>24W;单脉冲能量>4.8mJ;峰值功率>4.8MW。 | | |
全固态589nm激光器 | 采购1套,输出589nm脉冲激,用于和中间层钠原子相互作用,产生共振荧光散射回波信号,探测钠原子密度密度,温度和风。 | | |