光刻技术，不再重要了！是因为国产技术吗？

HaHa

最近半导体行业炸开了锅，英特尔一位高管抛出的“光刻将不再那么重要”引发了轩然大波。
有网友看了直接说：“中国的euv光刻机马上出来了，才说不重要。”



也有的说是因为受到华为堆叠技术影响，转变思路了。



这些话乍看挺有道理的，但还有更深层的原因。
光刻机的“高冷”现状

先说说光刻机界的“顶流”——ASML的High-NA EUV设备。它能做出1.4nm极限工艺的芯片，但现实很骨感：一台机器要花上3.5亿欧元，相当于人民币29亿左右，而且维护成本高得离谱。
更关键的是，随着3D堆叠、3D DRAM等新架构兴起，芯片设计越来越像“搭积木”，光刻那种平铺直叙的工艺反而显得笨重。



于是台积电干脆把大规模应用High-NA EUV的时间表推迟到2030年后，三星和英特尔也都在观望。
说白了，先进光刻机就像顶级跑车，性能再强，油耗太高也开不起。
ASML的甜蜜烦恼

ASML 虽然垄断EUV市场，但好日子也不好过。



2024年中国大陆贡献了其36.1%的收入，成为最大市场，但美国的出口管制和关税政策让这一地位岌岌可危。
更要命的是，新技术正在冲击ASML的护城河：EUV-FEL（极紫外自由电子激光）和原子光刻技术有望实现更高精度，且成本更低。



比如原子光刻直接操控原子排列，理论上能突破光刻的物理极限，而EUV-FEL的光源效率和波长可调性可能颠覆现有EUV技术。
刻蚀技术崛起

就在光刻遇冷的同时，刻蚀技术正在悄然逆袭。先进制程中，刻蚀步骤占比已超过50%，在3DNAND中甚至达到70%以上。
这是因为新型晶体管结构如GAAFET（全环绕栅极晶体管）和CFET（互补场效应晶体管）需要精准的横向材料去除，而刻蚀比光刻更擅长这一点。
打个比方，光刻是画蓝图，刻蚀则是砌墙，现在墙要砌得更精细，刻蚀自然成了主角。



而我国在刻蚀领域的突破尤为亮眼。中微半导体的刻蚀设备已进入台积电5nm供应链，在3D NAND市场占有率超过34%。
其自主研发的CCP（电容性等离子体）刻蚀机，能实现极高深宽比的刻蚀，精度达到原子级。
另一家企业新凯来推出的，支持从FinFET到GAAFET的工艺演进，部分技术指标已达到国际领先水平。



这些进展打破了美国应用材料、泛林集团的垄断，让中国在半导体设备领域有了更多话语权。
软件革命正在发生

硬件突破之外，软件同样在重塑制造业。
以云表平台为例，这个工业软件领域的“黑马”，正通过无代码开发和数据整合改变传统制造模式。
潞安化工引入其平台后，将安全隐患整改效率提升了大半，通过动态数据看板实现了风险实时监控。



其核心功能包括：

• 无代码开发：无需专业编程，通过拖拽组件就能搭建应用。某制造厂的技术团队仅用一周培训，就自主开发了供应链管理系统，节省了数百万开发成本。
  
• 数据穿透能力：整合生产、物流、质检等多源数据，形成“数字孪生”模型。某汽车零部件厂商通过其平台，将订单交付周期从15天缩短至7天。
  
• 流程自动化：内置 RPA（机器人流程自动化），自动处理重复性工作。某电子厂用它实现了物料采购、库存管理、生产排程的全流程自动化，人力成本降低 30%。
  

小结

“光刻不再那么重要” 并非否定其价值，而是行业多元化发展的信号。
High-NA EUV遇冷暴露了单一技术路径的风险，而刻蚀、原子光刻、EUV-FEL等新技术的崛起，正在构建更灵活的制造生态。
中国在刻蚀和工业软件领域的突破，更是为全球半导体产业链注入了新活力。
最后，感谢您的阅读，更多精彩，评论区见。
文｜胖胖


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